Издательство: (812) 336-25-09
Интернет-магазин: (812) 412-54-93 доб. 119
0
0
0 0 ₽
0 товаров

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост

Уровень образования:
Бакалавриат, Магистратура
Печатное издание:
1 361 ₽
Электронная версия:
820 ₽
Вид издания
учебник для вузов
Год
2023
Объем
216 с.
ISBN
978-5-507-45481-5
Переплет
Твердый
Формат
16,5*23,5 см
Издание
1-е изд.
Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации. Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.
Закрыть
Товар в корзине
Вы можете продолжить покупки или перейти к оформлению заказа.
К началу страницы