Издательство: (812) 336-25-09
Интернет-магазин: (812) 412-54-93

Физические основы проектирования кремниевых цифровых интегральных микросхем в монолитном и гибридном исполнении

Уровень образования:
Бакалавриат, Магистратура, Аспирантура, Специалитет
Печатное издание:
589 ₽
Электронная версия:
355 ₽
Вид издания
учебное пособие
Год
2013
Объем
208 с.
ISBN
978-5-8114-1375-1
Переплет
твердый
Формат
12,8*20 см.
Издание
1-е изд.
В учебном пособии изложены физические аспекты проектирования цифровых кремниевых микросхем в твердотельном и гибридном исполнении. Рассмотрены вопросы проектирования МОП- и биполярных транзисторов и диодов, а также пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактных узлов). Подробно изложены вопросы проектирования элементов гибридных микросхем. Много внимания уделено проектированию МОП- и КМОП-интегральных микросхем, так как в настоящее время именно эти ИМС занимают ведущие позиции в производстве микросхем в целом. Особенностью данного учебного пособия является описание методов повышения надежности и радиационной стойкости ИМС, поскольку микросхемы широко используются в экстремальных условиях. Учебное пособие предназначено для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области микроэлектроники, электроники, электронных измерительных систем, а также для специалистов, интересующихся повышением надежности и радиационной стойкости ИМС.
Закрыть
Товар в корзине
Вы можете продолжить покупки или перейти к оформлению заказа.