Физика полупроводников - все книги по дисциплине. Издательство Лань
В книге рассмотрены основные свойства, а также физические основы работы пленочных электролюминисцентных излучателей переменного тока, использующих предпробойную электролюминисценцию с внутрицентровым механизмом свечения. Представлены модифицированные конструкции излучателей. Определены требования к параметрам слоев излучателей и оптимальные режимы возбуждения, зависимости основных характеристических параметров центров свечения от режимов возбуждения. Рассмотрены кинета электролюминисценции в условиях образования и изменения объемных зарядов в слое люминофора, а также природа и параметры глубоких центров, ответственных за образование объемных зарядов. Определены параметры и характеристики процессов тунелирования электронов, ударной ионизации глубоких центров, ударного возбуждения центров свечения, рекомбинационных и релаксационных процессов, а также распределения плотности заполненных поверхностных состояний по энергии. основная часть материалов, приведенных в монографии, является результатом оригинальных исследований авторов. Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и исследованием оптоэлектронных приборов, а также для преподавателей, аспирантов и студентов вузов, обучающихся по направлениям подготовки и специальностям, входящим в УГС: "Физика и астрономия", "Электроника, радиотехника и системы связи", "Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии", и другим инженерно-техническим направлениям.
Пособие посвящено описанию теоретических основ и методических подходов к исследованию систем пониженной размерности посредством инфракрасной спектроскопии. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области физики полупроводников, оптики твердого тела и оптических методов исследования новых материалов, а также для дополнительного обучения в рамках физико-химических, материаловедческих специальностей и специализаций, связанных с оптическими методами анализа низкоразмерных структур.
В монографии обобщены и систематизированы имеющиеся достижения в исследованиях классического магнитного полупроводника — монооксида европия. В хронологическом порядке излагаются все пройденные этапы изучения его выдающихся электронных и магнитных характеристик, особенности их проявления во внешних полях в зависимости от нестехиометрии, степени легирования, как в монокристаллическом, так и в компактном, и тонкопленочном состояниях. Особое внимание уделено возможности нетрадиционного для магнитного полупроводника использования этого монооксида или его твердых растворов (композитов) в деле создания структур спиновой электроники. Как сверхпроводящей, в том числе, и высокотемпературной, так и способной работать в нормальных условиях. Для научных работников и специалистов, занимающихся разработкой устройств полупроводниковой спиновой электроники и информатики, технологов и физиков-теоретиков, и магнитологов, занимающихся расчетами, разработкой и созданием устройств спиновой памяти для квантового компьютера. Рекомендуется студентам старших курсов и аспирантам физических специальностей университетов для углубления своих физических знаний и веры в науку.
В книге рассматриваются различные вопросы теории полупроводников: колебания кристаллической решетки, законы движения электронов в идеальном и возмущенном периодических полях, кинематическое уравнение и явления переноса. Изложены элементы теории групп и симмметрии кристаллов, а также материалы по оптике полупроводников. Достоинством книги является ясность и доступность математического аппарата: все формулы подробным образом выводятся на основе сведений по математике, квантовой механике и статистической физике в объеме программ физических факультетов университетов. Некоторые математические выводы, более сложные и менее связанные с основным текстом, приведены в приложениях. Книга предназначена для студентов физических специальностей университетов и высших технических учебных заведений и физиков-экспериментаторов.
Настоящая книга содержит изложение основ оптической спектроскопии полупроводников. Рассмотрены одночастичные и коллективные возбуждения в собственных и примесных полупроводниках, дается квантовое описание и анализ соответствующих спектров, а также взаимосвязь оптических спектров с зонным строением полупроводников. Книга содержит две части: в первой изложены разделы, касающиеся объемных полупроводников, а во второй части представлены основы оптической спектроскопии, связанные с изучением низкоразмерных полупроводниковых наноструктур — квантовых точек, квантовых ям, сверхрешеток и двумерных экситонных поляритонов. Книга предназначена для студентов направлений подготовки, входящих в УГС: «Физика и астрономия», «Электроника, радиотехника и системы связи», «Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии», «Физико-технические науки и технологии», «Технологии наноматериалов», «Нанотехнологии и наноматериалы» и других физико-математических направлений подготовки, а также для аспирантов, преподавателей и научных сотрудников.
Обсуждаются принципы работы полупроводниковых устройств спиновой электроники. Они основываются на особенностях строения электронной и магнитной структур ферромагнитных полупроводников (ФП) и немагнитных широкозонных полупроводников (П). Рассмотрены модели реализации спинового токопереноса в контактах ФП/П на один из зеемановских электронных уровней в запрещенной зоне энергий немагнитного полупроводника. Приводятся результаты экспериментальных исследований подобных структур, в том числе, структур с участием композита на основе монооксида европия, свидетельствующие о возможности создания на их основе твердотельных спинтронных устройств для миллиметровой и субмиллиметровой спектроскопии твердого тела, а также элементов квантовых устройств спиновой информатики, способных работать при комнатных температурах.
В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.